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铁氟龙管是通过其他价电子不断的填充不完整键来实现的

来源:www.seyboldinc.com 发布时间:2016-01-25

铁氟龙管在半导体中,每个被激发到导带中的电子均会在共价带的建中逃逸一个电子而留下一个空缺的位置,在能带框架下,价带中出现一个空缺电子态。在电场的影响下,晶体中逃逸电子的位置可以认为是运动的,是通过其他价电子不断的填充不完整键来实现的。一个空穴被认为具有与一个电子不同的电荷,即为正的符号,因此,在电场下激发的电子和空穴以相反的方向运动,而且在半导体中均被缺陷所散射。  

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